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Nexperia宣布推出全新LFPAK33热增强型无损封装的汽车功率MOSFET
编辑:Nexperia传真三码 [ 2017/6/23 星期五 下午 10:43:29 ] 文章来源:Nexperia官网
Nexperia宣布推出全新LFPAK33热增强型无损封装的汽车功率MOSFET

传真三码Nexperia(原恩智浦标准产品事业部)今天宣布推出其采用全新LFPAK33热增强型无损封装的汽车功率MOSFET,该封装尺寸比行业标准器件缩小了80%以上。为应对不断增长的行业压力,LFPAK33器件还大幅降低了热阻,以缩小车载模块尺寸,同时继续提高能效和可靠性。LFPAK33 MOSFET可以让电源基础设施支持下一代汽车子系统(如雷达和ADAS技术)可靠、高效地运行。

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NexperiaLFPAK33封装的铜片设计降低了封装的电阻和电感,从而减少了RDS(on)和MOSFET的损耗。最终的封装拥有10.9 mm2的超紧凑尺寸,并且由于内部没有使用任何电线或胶水,工作温度最高可达到175oC T樀。器件可以处理最高70 A电流,并且其丰富的产品组合包含30 V – 100 V和RDS(on)低至6.3 m萡桶件。

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Nexperia全球产品营销工程师Richard Ogden表示:“随着越来越多的子系统涌入汽车当中,对坚固耐用的紧凑型电源系统的需求变得越来越旺盛。我们LFPAK产品组合的扩展为设计人员提供了比当今市场上任何其他公司都更多的产品选择。”

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目标应用包括:互联汽车模块、下一代引擎管理系统、底盘与安全技术、LED照明、继电器替代产品、C2X、雷达、信息娱乐系统和导航系统以及ADAS。

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